Для описания подобной системы число колебательных уровней должно быть не меньше \(S=\tfrac{\Delta^2}{2}\) (так называемый параметр Хуана-Риса). Поэтому для \(\Delta<10\) хватит 50 уровней.
Параметр \(\phi=\Omega\tau=1\), то есть фаза осциллятора успевает измениться не более, чем на один радиан. Импульс прямоугольный. Будем следить за заленностью возбужденного электронного состояния как функцией интенсивности импульса и смещения осциллятора \(P(n,\Delta)\).
Расчет показывает, что существует две области параметров, в которых поведение решения различно. Если импульс достаточно силен по сравнению со смещением положения равновесия осциллятора, а именно \(n\gg S\), наблюдаются осцилляции Раби. Если импульс достаточно слаб по сравнению со смещением положения равновесия осциллятора, а именно \(n\ll S\), осцилляции не наблюдаются. Если зафиксировать какое-либо значение \(\Delta\) и увеличивать \(n\), наблюдается сначала почти монотонный выход на стационар, затем в области \(n\approx S\) нарастают колебания, затем они переходят в осцилляции Раби.
Для оптических продольных фононов в кристале CdSe нет общепринятого значения параметра Хуана-Риса. Различные исследователи сообщают значения в широком диапазоне \(S=0{,}045-10\), то есть \(\Delta=0{,}3-4{,}5\).